Saskaņā ar ziņojumiem, Uhaņas universitātes pētnieku grupa nesen paziņoja par PSSA (raksta safīra ar silīcija dioksīda bloku) substrāta izmantošanu, lai mazinātu gallija nitrīda savienojuma robežu neatbilstības problēmu. Tiek ierosināts, ka PSSA substrāts var uzlabot indija gallija nitrīda un gallija nitrīda (InGaN / GaN) flip-chip redzamās gaismas LED efektivitāti.
PSSA ir rakstains safīra substrāts ar silīcija dioksīda bloku. Šī gada sākumā pētnieku grupas vadītājs profesors Džou Šengdzjuns ierosināja, ka PSSA substrāts var ievērojami uzlabot indija gallija nitrīda un alumīnija gallija nitrīda (InGaN / AlGaN) UV gaismas diožu efektivitāti.
Šis pētījums apraksta PSSA substrātu lielo potenciālu, uzlabojot III grupas gallija nitrīda gaismas diodes. Salīdzinot ar oficiālo mikroshēmu, flip chip LED var atrisināt siltuma izkliedes un nevienmērīgas strāvas sadales problēmas. Flip-chip struktūrā gaisma galvenokārt tiek izstarota caur caurspīdīgu pamatni.
Profesors Džou norādīja, ka tradicionālā raksta safīra substrāta (PSS) izmantošana gallija nitrīda audzēšanai, jo gallija nitrīds tiek audzēts uz rakstainām sānu malām, būs pozicionēšanas kļūdas, un gallija nitrīda plēvju vītnes dislokācijas blīvuma samazināšana vienmēr ir bijusi liela problēma , kas lielā mērā ierobežo iekšējās kvantu efektivitātes turpmāku uzlabošanu.
Tajā pašā laikā ir grūti panākt izrāvienus gaismas ekstrakcijas efektivitātē ar pagrieztu mikroshēmu LED uz PSS substrātiem, jo iepriekš noteikts lielais laušanas koeficienta kontrasts safīra un gaisa saskarnē.
Atšķirībā no PSSA substrāta, tā kā silīcija dioksīda bloku konusu sāni neveido gallija nitrīda salas, uz PSSA substrāta izaudzētā gaismas diode var efektīvi samazināt kontaktu starp sānu sienas un gallija nitrīdu uz C plaknes laukuma. substrāts. Neatbilstības problēma, kas parādās uz locītavas robežas.
Profesors Džou teica, ka, salīdzinot ar tradicionālo PSS substrāta šķīdumu, silīcija blokam flip-chip LED uz PSSA substrāta ir mazāks refrakcijas indeksa kontrasts starp silīcija bloku un gaisu, tāpēc vairāk gaismas tiek lauzta no silīcija masīva uz gaiss. Lai uzlabotu gaismas ekstrakcijas efektivitāti.
Turklāt, pamatojoties uz kristāla kvalitātes un gaismas ekstrakcijas efektivitātes uzlabošanos, flip-chip LED uz PSSA substrāta ārējā kvantu efektivitāte ir arī augstāka nekā flip-chip LED uz PSS substrāta.
Divi Uhaņas universitātes pētījumi parādīja, ka PSSA substrāti var veikt labākas atstarošanas un refrakcijas funkcijas nekā PSS substrāti. PSSA substrāta izmantošana samazina vītņu dislokācijas blīvumu un uzlabo gaismas ekstrakcijas efektivitāti, tādējādi uzlabojot InGaN / AlGaN UV gaismas diožu un InGaN / GaN uzsistošo mikroshēmu LED efektivitāti.
