Ultravioletās gaismas diodes un to pielietojums ir svarīgs trešās paaudzes pusvadītāju nozares attīstības virziens. Lai paātrinātu nozīmīgākos zinātniskos un tehnoloģiskos pētījumus un sasniegumu pārveidošanu, 2020. gadā Ķīnas Zinātņu akadēmijas Pusvadītāju institūts uzņēmās&pētniecības un izstrādes uzdevumu; gallija nitrīda bāzes augstas efektivitātes dziļa ultravioletā LED Skaidu tehnoloģija" projektu.
Kā dziļas ultravioletās gaismas avota paaudze, dziļā ultravioletā gaismas nitrīda LED ir piesaistījusi lielu pētnieku un rūpniecības pārstāvju uzmanību visā pasaulē, un tehnoloģiskajos un lietojumprogrammu jauninājumos ir veikti sasniegumi. Nostiprinot teorētiskos pamatpētījumus un ieviešot jaunas tehnoloģijas, projekta nodaļa koncentrējas uz atslēgu augstas kvalitātes AlN veidņu materiāliem, lieliem neatbilstības heteroepitaksiskiem defektiem un AlGaN materiālu stresa kontrolei, augstas efektivitātes kvantu struktūras dizainam un epitaksijai, kā arī augstas efektivitātes dziļai ultravioletās LED mikroshēmas Izpētes darbs pie sagatavošanas tehnoloģijas un uzlabotas iepakošanas tehnoloģijas ir ievērojami uzlabojis dziļu ultravioleto LED mikroshēmu iekšējo kvantu efektivitāti un gaismas ekstrakcijas efektivitāti. Sagatavoto lieljaudas dziļu ultravioleto LED mikroshēmu gaismas jauda pārsniedz 40mW, un ir izstrādāta dziļi ultravioletā gaismas jauda, kas pārsniedz 1W. LED modulis, moduļa darbības laiks ir vairāk nekā 5000 stundas.
Pašlaik attiecīgie lieljaudas produkti ir ražoti nelielās partijās. Pēc industrializācijas mēroga palielināšanas tas var efektīvi samazināt mikroshēmu izmaksas un produktu cenas, veicināt dziļu ultravioletās gaismas diodes nozari, lai atvērtu jaunas lietojumprogrammu jomas un tirgus, kā arī efektīvi veicinātu augšupējās un pakārtotās saistītās nozares attīstību un ekonomiskos un sociālos ieguvumus. Būs ļoti nozīmīgs.
