GaN bāzes pusvadītāju LED apgaismojumam ir priekšrocības ar augstu efektivitāti, enerģijas taupīšanu, vides aizsardzību, ilgu kalpošanas laiku un vieglu apkopi. Pēc kvēlspuldzēm un dienasgaismas spuldzēm tā ir vēl viena apgaismojuma revolūcija cilvēku apgaismojuma vēsturē. Attīstoties valkājamajai tehnoloģijai, elastīgā pusvadītāju tehnoloģija nākotnē pakāpeniski kļūs par galveno virzienu, un elastīgā GaN sagatavošana ir kļuvusi par pētījumu karsto punktu, kas šodien piesaista starptautisku uzmanību.
Sakarā ar liela izmēra nitrīdu substrātu augstām izmaksām nitrīdu plēves parasti tiek epitāli audzētas, pamatojoties uz neviendabīgiem materiālu substrātiem, piemēram, safīru un silīciju. Starp kristāla substrātu un nitrīdu pastāv nopietna režģa neatbilstība, kas izraisa lielu spriegumu epitaksiālajā GaN plānajā plēvē un rada lielu iespiešanās dislokāciju skaitu, kā rezultātā samazinās LED ierīces gaismas efektivitāte. Tāpēc zema stresa un augstas kvalitātes GaN filmu sagatavošana ir īpaši svarīga, lai uzlabotu LED veiktspēju.
Pašlaik lāzera pacelšanas tehnoloģija ir galvenā metode elastīga GaN sagatavošanai, bet nevienmērīgs lāzera enerģijas blīvuma sadalījums izraisa GaN plānas kārtiņas izvirzījumu sabrukšanu, un ir grūti iegūt liela laukuma nepārtrauktas un nesagraujošas GaN plānas plēves, kas nopietni kavē GaN elastīgo ierīču attīstību. .
Komanda izpētīja un atklāja nitrīda selektīvās kodināšanas mehānismu uz grafēna, atrada labāko AlN kodolizācijas vietu un veiksmīgi sagatavoja augstas kvalitātes, bez stresa GaN epitaksiālo slāni. Un, optimizējot pacelšanas procesu, tiek panākta GaN epitaksiālā slāņa nobīdīšana lielā platībā ar lielu bojājumu. Violetas gaismas diode, kas sagatavota, pamatojoties uz elastīgo GaN materiālu, ar mazu strāvu sasniedz īpaši augstu gaismas izvades jaudu. Pētījuma rezultāti pierāda noņemšanas iespēju, lai panāktu uz GaN balstītu elastīgu apgaismojumu un gaismas diodes, lai nākotnē sasniegtu augstas kvalitātes vertikālas struktūras.
No LEDInside
